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IDC:扩产产能将开出,NAND 明年上半为止难见好转


IDC:扩产产能将开出,NAND 明年上半为止难见好转

东芝(Toshiba)工厂停电意外以及日韩大打贸易战,带动 NAND Flash 价格在下半年初反弹,但是 IDC 认为,需求疲弱和扩产产能即将开出,涨势不太可能持续。

BusinessKorea 报导,IDC 市场研究副总裁 Kim Soo-kyu 在南韩首尔开会时表示,记忆体疲弱情况,将持续到至少 2020 年上半年结束。他说,NAND Flash 价格上扬不是因为需求提高,而是厂商亏损过大,必须调升价格。

需求不强,但是企业大举投资,提高供给过剩的疑虑。三星电子位于中国西安的 NAND Flash 工厂,第 2 产线将在明年上半全面启动。东芝的日本岩手(Iwate)厂,正由 2D NAND Flash 转为 3D NAND 生产基地,预计明年第四季上线。

另外,美光在新加坡打造的 10A 厂,明年开始量产 3D NAND Flash。SK 海力士也準备扩大 M15 厂产能,该厂专门生产 NAND Flash。与此同时,中国厂长江存储(YMTC)规模将增,有望影响全球 NAND Flash 价格。

Tom’s Hardware 报导,DRAMeXchange 数据显示,今年第二季 DRAM 价格下滑将近 10%。NAND Flash 价格持平,主因 6 月份的东芝工厂事故,让该公司被迫减产。但是 DRAMeXchange 不看好第三季情况,预测地缘经济纷扰,或许会让第三季的 NAND 需求,低于过往数年。




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